한국전기연구원(www.keri.re.kr)는 메이플세미컨덕터(주)와 공동으로 1200V급 실리콘 카바이드 전력소자 MOSFET(SiC Power MOSFET) 2종을 국내 최초로 개발했다고 밝혔다. 이번 상용화 기술개발은 KERI가 보유하고 있는 SiC 전력반도체 핵심기술인 고온·고에너지 이온주입 공정기술, 낮은 접촉저항형성 공정기술, 고품질 질화처리 게이트산화막 형성 및 낮은 누설전류를 위한 패시베이션(passivation) 공정기술 등이 적용되었고, 메이플세미컨덕터(주)의 전력반도체 양산 경험과 공정기술이 접목되어 성공하게 됐다.
SiC 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체보다 효율이 높고 고온에서도 안정적으로 동작해 그린카(xEV)와 신재생에너지용 인버터에 적용 가능한 차세대 전력반도체다. 일부 선진 메이저업체들도 최근에야 기술개발에 성공하여 상품화했을 정도로 설계 및 공정이 매우 어려운 것으로 알려져 있다.
전세계 전력반도체 시장은 현재 170억달러 규모로, 이중 SiC 전력반도체 시장은 현재 8000만달러 수준이지만, 2018년에는 양산업체 증가와 그린카(xEV) 등의 수요에 힘입어 20억달러까지 성장할 것으로 전망된다.
한편, 메이플세미컨덕터(주)는 개발 성공된 1200V 10A, 40A SiC Power MOSFET과 관련, 2014년에 공정 최적화 및 신뢰성검증을 거쳐 2015년에 본격적으로 양산을 개시할 계획이다. 내수시장은 물론 해외시장까지 판로를 개척하여 2015년 80억원, 2016년 200억원의 신규매출을 기대하고 있다.