성능향상과 동시에 패키지의 장점 높여  
가격 경쟁력 확보 제공

본 발명은 고방열 패키지 및 고방열 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 고방열 패키지는 평판형 히트파이프; 상기 평판형 히트파이프의 외면 일측에 위치하고, 솔더링을 위하여 마련되는 솔더층 및 상기 솔더층의 상면에 위치하고, 상기 솔더층에 의해 상기 평판형 히트파이프에 고정되는 칩 패키지를 포함하고, 열저항을 줄일 수 있는 솔더층을 평판형 히트파이프 상에 형성함으로써 고방열이 가능한 제품을 제작할 수 있어, 성능향상과 동시에 패키지의 장점을 살릴 수 있고, 나아가 가격 경쟁력을 확보할 수 있는 효과가 있다.
 

발명의 설명

배경 기술 
일반적으로 태양광 발전장치의 집광유닛은 태양광을 집광하는 집광렌즈, 집광된 태양광을 흡수하여 전기 에너지로 변환시키는 솔라셀, 솔라셀이 직렬 또는 병렬로 연결된 태양전지 모듈, 집광된 태양광으로 인해 온도가 상승된 태양전지 모듈을 냉각하는 방열수단 등을 포함한다.
US 6,653,551(Stationary Photovoltaic Array Module Design for Solar Electric Power Generation Systems)의 경우 세 개의 광학 렌즈를 적용하여 집광형 태양광 모듈을 구성하는 것을 특징으로 하며, 1차 집광 렌즈를 2개의 저집광 렌즈로 분리하여 고집광을 구현하는 기술을 적용하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 종래의 태양광 모듈은 방열수단을 별도의 연결부재 등을 사용해야 하므로 제작단가가 상승하게 되는 단점이 있다. WO 2010059013(고방열기판을 구비한 엘이디 패키지)의 경우 절연피막층 위에 증착방법을 이용하여 두께가 얇은 전도층을 형성하고, 에칭방법을 이용하여 회로배선 패턴층을 형성함으로써, 보다 얇은 회로 배선패턴을 형성할 수 있는 효과를 갖는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 종래의 고방열기판을 구비한 엘이디 패키지는 열저항을 현저하게 줄일 수 없으며, 이에 따라 고방열 특성을 구현하기가 어렵다는 문제점이 있다.


발명의 내용 

해결하려는 과제
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 열저항을 줄일 수 있는 솔더층을 평판형 히트파이프 상에 형성함으로써 고방열이 가능한 제품을 제작할 수 있어, 성능향상과 동시에 패키지의 장점을 살릴 수 있고, 나아가 가격 경쟁력을 확보할 수 있는 고방열 패키지 및 고방열 패키지 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

발명의 효과  
본 발명의 고방열 패키지 및 고방열 패키지 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다. 열저항을 줄일 수 있는 솔더층을 평판형 히트파이프 상에 형성함으로써 고방열이 가능한 제품을 제작할 수 있어, 성능향상과 동시에 패키지의 장점을 살릴 수 있고, 나아가 가격 경쟁력을 확보할 수 있다. 또한, 평판형 히트파이프를 적용하여 고방열이 가능하면서도 칩 또는 칩이 실장된 칩 패키지를 평판형 히트파이프 상에 패키징할 수 있다. 종래의 방열 패키지 기술과 달리 평판형 히트파이프를 적용함으로써, 동일면적과 동일무게의 다른 히트파이프에 비해 고방열 특성을 구현할 수 있다. 나아가, 평판형 히트파이프를 압출로 제작하는 경우 크기에 제한이 있는데, 평판형 히트파이프에 방열핀이 형성됨으로써, 고방열 특성을 가지는 평판형 히트파이프를 제작할 수 있다.

발명을 실시하기 위한 구체적인 내용    
이하 그림들을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

제1실시예에 따른 고방열 패키지
본 발명의 제1실시예에 따른 고방열 패키지를 그림 1에 도시하였다. 그림 1에 따르면, 제1실시예에 따른 고방열 패키지는 칩(143)이 기판(141) 상에 실장되도록 칩 패키지(140)를 제조한 후 칩 패키지(140)를 평판형 히트파이프(110)에 고정하여 고방열 패키지를 제작하는 방법이다.
그림 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 칩(143)을 기판(141) 상에 실장하는 방법의 일례를 들면, 구리가 직접 결합된 세라믹 기판(direct copper bonded ceramic board)을 적용하는 것인데, 산화알루미늄(Al2O3) 또는 질화알루미늄(AlN) 기판(141) 상에 구리 시트를 본딩하고 패터닝하여 고방열 기판(141)을 제작하고, 기판(141)의 상부면인 패터닝 된 부분에 칩(143)을 솔더링으로 실장하고, 와이어 본딩으로 필요에 따른 추가적인 배선을 함으로써, 칩(143)이 기판(141) 상에 실장된 칩 패키지(140)가 제작된다.
상기와 같이 제작된 칩 패키지(140)를 평판형 히트파이프(110)에 고정하는 방법은 다음과 같다. 먼저, 그림 1의 (a)에 도시한 바와 같이 평판형 히트파이프(110)를 제조한다. 제1실시예에 의한 평판형 히트파이프(110)는 압출에 의해 제작되는 것이 바람직하며, 다양한 금속 재료가 사용될 수 있으나, 가격 경쟁력이 있는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 재질을 적용하는 것이 가장 바람직하다. 이렇게, 평판형 히트파이프(110)를 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 재질로 제작하면, 평판형 히트파이프(110) 자체는 솔더링이 잘 되지 않는다.
제1실시예에 의한 평판형 히트파이프(110)는 방열 성능을 갖도록 내부가 비어 있는 것이 바람직한데, 그림 1의 (a)와 같이 평판형 히트파이프(110)의 내부에 빈 공간(111)이 형성되어 있다. 이 공간(111)에 기체로의 상변화 온도가 낮은 알코올 류의 액체로 적정량을 채운 다음, 진공 밀봉하여 평판형 히트파이프(110)의 제작이 완료된다.
평판형 히트파이프(110)의 방열은 열을 받은 부위의 액체가 기체로 상변화하는 과정에서 열을 흡수하고, 이를 열을 받지 않은 평판형 히트파이프(110)의 반대 끝쪽으로 급속도로 전달하므로 열전도 면적을 확산하여 방열의 효과를 극대화할 수 있다. 고집광 태양전지의 경우 집광된 태양광에서 발생한 흡수열이 단면적이 작은 태양전지에 집중이 되며, 이 열을 평판형 히트파이프(110)를 이용하여 급속도로 평판형 히트파이프(110)의 전면적으로 전달함으로써, 방열 면적을 넓혀 태양전지의 온도를 낮게 유지하는 것이 가능하다.
다음으로, 그림 1의 (b)에 도시한 바와 같이 평판형 히트파이프(110)의 외면에 솔더링이 가능하도록 마련되는 금속층(120)을 형성한다.
제1실시예에서는 평판형 히트파이프(110)의 외면 전체에 금속층(120)이 형성되어 있으며, 바람직하게는 무전해 도금으로 평판형 히트파이프(110)의 외면 전체에 금속층(120)이 형성되도록 한다. 즉, 알루미늄 재질의 평판형 히트파이프(110) 상에 징케이트(zincate) 공정 후 전기에너지 없이 금속층(120)을 형성시키는 무전해 도금 방법이다.
다음으로, 그림 1의 (c)에 도시한 바와 같이 금속층(120)이 형성된 평판형 히트파이프(110)의 외면 일측에 솔더링을 위하여 마련되는 솔더층(130)을 형성한다.
제1실시예에서 솔더층(130)은 평판형 히트파이프(110)의 상면에 형성된 금속층(120)의 상면에 위치하며, 솔더층(130)이 형성되는 위치는 평판형 히트파이프(110)에 칩 패키지(140)를 고정하고자 하는 위치의 금속층(120) 상면이면 된다. 이러한 솔더층(130)은 솔더 페이스트, 솔더 딥코팅, 솔더 프리폼 등 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 또한, 솔더 접착면과 두께를 균일하게 유지하기 위해 솔더 마스크 층을 평판형 히트파이프(110)에 형성하여 솔더링 고정을 최적화하는 것도 가능하다. 이렇게 솔더층(130)의 재질은 다양하게 적용될 수 있으나, 칩(143)을 기판(141) 상에 실장할 때 적용된 솔더의 용융 온도보다 낮은 온도로 적용되어야 칩(143)이 실장된 기판(141)의 손상을 막을 수 있다.
다음으로, 그림 1의 (d)에 도시한 바와 같이 솔더층(130) 위에 칩 패키지(140)를 위치시키고, 솔더층(130)을 용융하여 칩 패키지(140)를 평판형 히트파이프(110)에 고정한다. 이 단계에 의해 칩 패키지(140)는 솔더층(130)의 상면에 위치한 상태에서 솔더층(130)에 의해 평판형 히트파이프(110)에 고정된다. 이렇게, 솔더층(130)을 용융하여 칩 패키지(140)를 평판형 히트파이프(110)에 고정하기 위해서 리플로우 솔더링 장비를 적용하는 것이 가장 바람직하나, 이외에도 레이저 솔더링, 열풍 챔버 등 다양한 장비를 적용하여 솔더링 공정을 수행할 수 있다.

제2실시예에 따른 고방열 패키지   
본 발명의 제2실시예에 따른 고방열 패키지를 그림 2에 도시하였다. 제2실시예에 의한 고방열 패키지의 제조방법은 제1실시예 또는 하기에서 설명할 제3실시예에 의한 고방열 패키지의 제조방법과 대동소이하므로 제2실시예에 의한 고방열 패키지의 제조방법에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 하고, 제2실시예에 의한 고방열 패키지에 대해서만 설명하기로 한다.
제1실시예 및 제3실시예에 의한 고방열 패키지와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고, 제1실시예 및 제3실시예에 의한 고방열 패키지와 다른 구성요소에 대해서만 설명하기로 한다.

그림 2에 따르면, 제2실시예에 따른 고방열 패키지는 평판형 히트파이프(110)의 외면 전체에 금속층(120)이 형성되어 있고, 금속층(120)의 상면 일측에 솔더층(130)이 형성되어 있다.
제2실시예에서는 금속층(120)이 형성된 평판형 히트파이프(110)의 외면에 절연층(150)이 위치하는데, 절연층(150)은 솔더층(130)의 외측으로 배치되어 있다. 따라서, 금속층(120)의 상면에 솔더층(130)의 외측으로 절연층(150)이 형성되어 있다.
절연층(150)의 상면에는 배선전극 금속층(160)이 형성되는데, 제2실시예에서는 배선전극 금속층(160)이 절연층(150) 상면 전체에 형성되지 않고, 솔더층(130)의 외측과 인접하도록 절연층(150) 상면의 일부에만 형성되어 있다.
배선전극 금속층(160)의 상면에는 보조 솔더층(170)이 형성되는데, 제2실시예에서는 보조 솔더층(170)이 배선전극 금속층(160) 상면 전체에 형성되지 않고, 솔더층(130)의 외측과 인접하도록 배선전극 금속층(160) 상면의 일부에만 형성되어 있다.
상기와 같이 구성되어, 기판(141) 상에 칩(143)이 실장된 상부에 보호층(145)으로 덮여 있는 칩 패키지(140a)가 솔더층(130)과 보조 솔더층(170)의 상면에 위치하고, 칩 패키지(140a)는 솔더층(130)에 의해 평판형 히트파이프(110)에 고정되며, 보조 솔더층(170)에 의해 배선전극 금속층(160)과 전기적으로 연결된다.

제3실시예에 따른 고방열 패키지     
본 발명의 제3실시예에 따른 고방열 패키지를 그림 3에 도시하였다. 제3실시예에 의한 고방열 패키지의 제조방법에 있어서 제1실시예에 의한 고방열 패키지의 제조방법과 동일한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 한다. 또한, 제1실시예에 의한 고방열 패키지와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고, 제1실시예에 의한 고방열 패키지와 다른 구성요소에 대해서만 설명하기로 한다.

그림 3에 따르면, 제3실시예에 다른 고방열 패키지는 평판형 히트파이프(110) 상에 절연막(115)과 금속층(120)을 생성하고 칩(143)을 실장하여 고방열 패키지를 제작하는 방법이다. 먼저, 그림 3의 (a)에 도시한 바와 같은 평판형 히트파이프(110)를 제조한다. 다음으로, 제조된 평판형 히트파이프(110)의 외면 일측을 마스킹한다. 마스킹하는 부분은 하기에서 설명할 칩(143)을 솔더링 하기 위한 금속층(120)을 형성하는 부분이며, 가장 간단하게는 접착 테이프를 부착하여 마스킹을 수행할 수 있다. 이외에도 정밀한 치수 제어가 필요한 경우 마스킹 후 제거가 가능한 스크린 프린팅 소재, 노광에 의해 경화되었다가 다시 제거할 수 있는 포토 레지스트류, 다양한 인쇄방법으로 적용 가능한 PCB 제작용 또는 반도체 공정용 소재를 사용하여 마스킹하여 제거함으로써 칩(143) 실장을 위한 부분을 보호할 수 있다. 이와 같이, 평판형 히트파이프(110)의 칩(143)을 솔더링 하기 위한 금속층(120)을 형성하는 부분에 마스킹을 수행함으로써, 다음 공정인 양극산화법 진행시 금속층(120)을 형성하는 부분에 절연막(115)이 생성되지 않도록 보호할 수 있다.
다음으로, 그림 3의 (a)에 도시한 바와 같이 평판형 히트파이프(110)의 마스킹한 부분을 제외한 나머지 외면에 양극산화법(Anodizing)으로 양극산화막인 절연막(115)을 형성한다. 이렇게 양극산화법 이외에도 에폭시, 실리콘, 플라스틱 등의 다양한 절연재료를 이용하여 절연막(115)을 형성할 수 있다. 이 단계에 의해 솔더층(130)을 제외한 나머지 부분의 평판형 히트파이프(110)의 외면에 절연막(115)이 형성되며, 절연막(115)이 형성됨으로써 외기나 수분이 노출될 수 있는 평판형 히트파이프(110)의 외면에 절연과 방습이 가능하다.
다음으로, 평판형 히트파이프(110)의 마스킹한 부분을 제거하고, 그림 3의 (a)에 도시한 바와 같이 마스킹한 부분이 제거된 평판형 히트파이프(110)의 외면 일측에 솔더링이 가능하도록 마련되는 금속층(120)을 형성한다.
다음으로, 그림 3의 (b)에 도시한 바와 같이 금속층(120)의 외측에 배치된 절연막(115)의 상면에 절연층(150)을 형성하고, 그림 3의 (c)에 도시한 바와 같이 절연층(150)의 상면에 배선전극 금속층(160)을 형성하여, 메탈 PCB 제작방법을 적용할 수 있다. 이렇게 절연층(150)을 형성하지 않고, 실시예에 따라 구리가 직접 결합된 세라믹 기판(direct copper bonded ceramic board)의 크기를 최소화하여 접착제를 이용하여 금속층(120)의 외측에 배치된 절연막(115)의 상면에 부착하고, 구리가 직접 결합된 세라믹 기판(141)의 상면에 배선전극 금속층(160)을 형성할 수도 있다. 이렇게, 솔더층(130)의 외측으로 배치되는 절연막(115)의 상면에 배선 전극 금속층(120)이 형성되며, 절연막(115)과 배선 전극 금속층(120) 사이에는 절연층(150) 또는 기판(141)이 배치된다.
다음으로, 그림 3의 (c)에 도시한 바와 같이 금속층(120)의 상면에 솔더층(130)을 형성한다. 이 단계에 의해 금속층(120)의 상면에 솔더층(130)이 위치하게 된다. 다음으로, 그림 3의 (c)에 도시한 바와 같이 솔더층(130) 위에 칩(143)으로만 이루어진 칩 패키지를 위치시키고,
솔더층(130)을 용융하여 칩 패키지(143)를 평판형 히트파이프(110)에 고정한다. 이 단계에 의해 칩(143)으로만 이루어진 칩 패키지는 솔더층(130)의 상면에 위치한 상태에서 솔더층(130)에 의해 평판형 히트파이프(110)에 고정된다.
솔더링 완료 후 칩 패키지(143)와 배선전극 금속층(160)을 전기적 배선을 하여 전기적으로 연결한다. 전기적 배선은 와이어 본딩 장비를 적용하여 금(Au) 와이어를 배선 연결하는 것이 가장 바람직하나, 정일한 공정을 요구하지 않는 경우 다른 재질의 와이어를 적용할 수 있음은 물론이다.
칩 패키지(143)와 배선전극 금속층(160)을 전기적으로 연결한 다음, 그림 3의 (d)에 도시한 바와 같이 칩 패키지(143)와 배선전극 금속층(160)의 상부에 보호층(180)을 형성할 수도 있다.

제4실시예에 따른 고방열 패키지   
본 발명의 제4실시예에 따른 고방열 패키지를 그림 4에 도시하였다. 제4실시예에 따른 고방열 패키지 및 고방열 패키지의 제조방법은 제1실시예와 동일하며, 다만 평판형 히트파이프의 형상만 다르므로 평판형 히트파이프의 형상에 대해서만 설명하기로 한다.
그림 4에 따르면, 제4실시예에 따른 고방열 패키지의 평판형 히트파이프(110a)의 하면에는 다수의 방열핀이 형성되어 있다. 제4실시예에 따른 평판형 히트파이프(110a)에는 내부에 빈 공간(111)이 형성되어 있으며, 평판형 히트파이프(110a)의 하면으로부터 하방으로 연장된 다수의 방열핀(113)이 서로 간격을 두고 형성되어 있다. 이렇게 방열핀(113)이 형성된 평판형 히트파이프(110a) 외면의 전체에 금속층(120)이 형성되어 있다.
평판형 히트파이프(110a)를 압출로 제작하는 경우 크기에 제한이 있는데, 제4실시예와 같이 평판형 히트파이프(110a)에 방열핀(113)이 형성됨으로써, 고방열 특성을 가지는 평판형 히트파이프(110a)를 제작할 수 있다.

제5실시예에 따른 고방열 패키지 
본 발명의 제5실시예에 따른 고방열 패키지를 그림 5에 도시하였다. 제5실시예에 따른 고방열 패키지 및 고방열 패키지의 제조방법은 제1실시예와 동일하므로 상세한 설명을 생략하기로 한다.
그림 5에 따르면, 제5실시예에 따른 고방열 패키지의 평판형 히트파이프(110)의 하부에는 방열핀(210)이 형성된 히트싱크(200)가 마련되어 있다. 제5실시예에서는 히트싱크(200)의 하면으로부터 하방으로 연장된 다수의 방열핀(210)이 서로 간격을 두고 형성되어 있으며, 방열핀(210)이 형성된 히트싱크(200)의 크기와 형상은 실시예에 따라 달라질 수 있다. 또한, 제5실시예에서는 평판형 히트파이프(110)의 하면 전체에 히트싱크(200)가 배치되어 있지만, 평판형 히트파이프(110)의 외면 전체 또는 일부에만 배치될 수도 있다.
평판형 히트파이프(110)와 히트싱크(200)의 접합 공정은 칩 패키지(140)를 솔더링함과 동시에 이루어지는 것이 가장 바람직하며, 평판형 히트파이프(110)와 히트싱크(200)를 솔더링 접합하는 것이 바람직하다. 이외에도 열전도성 테이프 등을 이용하여 접합하는 방법을 적용할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따른 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예를 다음의 그림들에 도시하였다.

그림 6의 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예에 따르면, 제1실시예에 따른 고방열 패키지의 칩 패키지(140) 상측에 칩 패키지(140)와 어느 정도의 거리를 두고 집광렌즈(300)가 위치하여, 입사되는 태양광(A)을 칩 패키지(140) 측으로 집광한다. 집광렌즈(300)는 PMMA 렌즈 또는 SOG(silicon on glass) 집광렌즈를 사용할 수 있으며, 그림 6에서는 선형 프레넬 렌즈를 적용하여 저/중집광의 경우에 유용하다. 이렇게, 집광렌즈(300)를 사용하면 작은 면적을 갖는 태양전지를 사용할 수 있어, 제작되는 태양광 모듈의 가격을 현저히 줄일 수 있고, 집광렌즈(300)를 적용하여 태양광(A)을 집광할 때 태양전지의 면적보다 500배 이상 큰 면적에서 입사되는 태양광을 집광할 수 있다. 이 경우 60W/㎠ 이상의 열이 발생하며 이를 적절한 방열구조를 적용하여 열을 빼지 않으면 태양전지에 온도가 너무 높아져서 효율 저하 및 패키지의 손상에 의한 파손이 발생할 수 있다. 이때, 본 발명에 따른 열저항을 최소화한 평판형 히트파이프(110)를 그림 6과 같이 적용하여 집광형 태양광 모듈의 기본 유닛을 구성함으로써, 고방열이 가능한 제품의 제작이 가능하다. 이러한 그림 6과 같은 집광형 태양광 모듈의 기본 유닛을 적용하여 배열하면, 어레이로 구성된 태양광 모듈의 제작이 가능하다. 태양광 모듈의 프레임 제작과 패키지는 일반적인 집광형 태양광 모듈 제작 방법과 동일하게 적용할 수 있다.
그림 7의 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예에 따르면, 그림 6의 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예와 동일하나, 차이점은 칩 패키지(140)의 상면에 2차렌즈(350)가 위치한다. 즉, 집광렌즈(300)에 의해 집광된 초점에 2차렌즈(350)가 위치한다. 특히, 칩 패키지(140)의 칩(143) 상면에 위치하는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 2차렌즈(350)가 윗면이 아래면 보다 넓은 형태의 사다리꼴 형태이다. 실시예에 따라 2차렌즈(350)는 원뿔형, 포물선형, 다분할 편심형 등 다양한 렌즈의 적용이 가능하다.
그림 8의 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예에 따르면, 그림 7의 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예와 동일하나, 차이점은 집광렌즈(310)는 원형 프레넬 렌즈가 아니라, 곡면을 갖는 선형 프레넬 렌즈이다. 그림 8에서는 2차렌즈(350)가 마련된 것으로 도시하였지만, 필요에 따라 2차렌즈(350) 없이 사용할 수도 있다.

그림 9의 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예에 따르면, 입사되는 태양광을 집광하는 1차 반사미러(400)가 칩 패키지(140)의 외측에 배치된다. 본 실시예에서 1차 반사미러(400)는 반원 형태로 형성되어, 반원 형태인 1차 반사미러(400)의 곡면 중앙에 칩 패키지(140)가 위치하고, 평판형 히트파이프(110)은 1차 반사미러(400)의 외부에 위치한다. 또한, 1차 반사미러(400)에 의해 집광된 초점에 위치하여 칩 패키지(140) 측으로 다시 집광하는 2차 반사미러(450)가 마련되어 있다. 본 실시예에서 2차 반사미러(450)는 1차 반사미러(400)의 내부 상측 중앙에 위치한다. 즉, 반원 형태인 1차 반사미러(400)의 중심에 2차 반사미러(450)가 위치한다. 이러한 1차 반사미러(400) 및 2차 반사미러(450)는 플라스틱 프레임과 반사필름 일체형으로 제작될 수 있으며, 반사 필름은 슬롯다이 코팅된 실버 나노잉크로 제작된 반사 필름을 적용하는 것이 가장 바람직하며, 또 다른 방법으로는 진공 증착 금속을 갖는 반사필름을 적용할 수도 있다. 나아가, 칩 패키지(140)의 상면에는 2차렌즈(350)가 위치한다. 즉, 집광렌즈(300)에 의해 집광된 초점에 2차렌즈(350)가 위치한다. 특히, 칩 패키지(140)의 칩(143) 상면에 위치하는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 2차렌즈(350)가 윗면이 아래면 보다 넓은 형태의 사다리꼴 형태이다. 실시예에 따라 2차렌즈(350)는 원뿔형, 포물선형, 다분할 편심형 등 다양한 렌즈의 적용이 가능하며, 2차렌즈(350) 없이 사용할 수도 있다.
상기에서 설명한 그림 6 ~ 그림 9에 도시한 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 응용 제품의 실시예에서는 제1실시예에 따른 고방열 패키지를 적용한 것으로 도시하고 설명하였지만, 실시예에 따라 제2실시예 내지 제5실시예에 따른 고방열 패키지를 적용할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기에서는 본 발명에 따른 고방열 패키지를 적용한 집광형 태양광 모듈에 대해서만 설명하였지만, 이에 국한하지 않고 LED, 반도체 등 고방열을 필요로 하는 다양한 분야의 패키지에 적용할 수 있다.
본 발명의 고방열 패키지 및 고방열 패키지 제조방법에 따르면, 열저항을 줄일 수 있는 솔더층(130)을 평판형 히트파이프(110) 상에 형성함으로써 고방열이 가능한 제품을 제작할 수 있어, 성능향상과 동시에 패키지의 장점을 살릴 수 있고, 나아가 가격 경쟁력을 확보할 수 있다. 또한, 평판형 히트파이프(110)를 적용하여 고방열이 가능하면서도 칩(143) 또는 칩(143)이 실장된 칩 패키지(140)를 평판형 히트파이프(110) 상에 패키징할 수 있다. 종래의 방열 패키지 기술과 달리 평판형 히트파이프(110)를 적용함으로써, 동일면적과 동일무게의 다른 히트파이프에 비해 고방열 특성을 구현할 수 있다.