홈   >   SMT Paradigm 이 기사의 입력시간 : 2010-10-02 (토) 9:46:54
멤리스터 기술 적용, 상용화 노력
하이닉스-HP, Re램 공동개발 ‘협약’
2010-10  
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하이닉스반도체(www.hynix.co.kr)와 HP(www.hp.com)가 차세대 메모리 제품인 Re램(저항변화 메모리) 상용화를 위한 공동개발 계약을 체결했다. Re램은 낸드플래시의 속도 및 대용량화의 한계를 모두 극복할 수 있을 뿐만 아니라 에너지 효율적인 차세대 메모리로 평가 받고 있다.

이번 계약은 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 멤리스터 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 기반으로 이루어진 협력으로 하이닉스 R&D 팹에서 상용화를 위한 공동개발이 진행될 예정이다. 이에 따라 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 되고, HP는 상용화된 Re램을 우선적으로 공급받을 수 있게 된다.

메모리(Memory)와 저항(Resistor)의 합성어인 멤리스터(Memristor) 기술은 차세대 메모리인 Re램을 구현하는 방법 중 하나로 HP가 자체 개발했으며, 2008년 네이처(Nature)지에 소개된 바 있다. 이 기술은 전류가 흐르는 방향과 양에 따라 저항이 변화되며, 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특징을 갖고 있다. 이와 같이 멤리스터 기술을 적용한 Re램은 저항을 이용하는 간단한 구조를 갖춰 현재의 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고, 공정 미세화에 따른 한계를 해결할 수 있어 보다 많은 정보를 저장할 수 있다. 또한, 구동에 필요한 전력소요도 적어 모바일 시대에 적합한 고속동작 · 대용량 · 저전력을 갖춘 메모리로 기대되고 있다.

HP 연구소 소장인 스탠 윌리암스는 “이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 선두 메모리 회사인 하이닉스를 통해 세계 시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다”고 전했다. 하이닉스 CTO 박성욱 부사장은 “기존에 개발 중인 P램, STT-M램과 더불어 HP와의 Re램 공동개발로 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 밝히며 “향후 시장변화와 고객요구에 능동적으로 대응해 미래지향적 사업 역량을 지속적으로 확충할 것”이라고 전했다.
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