| 글로벌 300mm 팹 장비 투자, 향후 3년간 3,740억달러 전망 |
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| 2025-11 |
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SEMI, AI·공급망 자립이 투자 견인
한국·대만·미국 중심의 첨단 공정 확장 가속
전 세계 반도체 산업이 AI 수요 확산과 공급망 자립 정책을 축으로 대규모 설비 투자를 이어가고 있는 가운데 300mm 팹 장비 투자 지속이 전망된다.
반도체 장비 산업협회(SEMI, www.semi.org)가 최근 발표한 ‘최신 300mm 팹 전망 보고서’에 따르면, `26년부터 `28년까지 3년간 전 세계 300mm 팹 장비 지출 규모는 총 3,740억달러(약 520조원)에 이를 것으로 예상된다. 이는 팹 지역화와 데이터센터·엣지 디바이스용 AI 칩 수요 급증에 따른 반도체 제조 인프라 확충의 결과로 풀이된다.
보고서에 따르면, 세계 300mm 팹 장비 지출은 올해 처음으로 1,000억달러(약 139조원)를 넘어 1,070억달러(약 149조원)를 기록할 것으로 보이며, 이후 `26년 1,160억달러(약 162조원) (+9%), `27년 1,200억달러(약 168조원) (+4%), `28년 1,380억달러(약 193조원) (+15%)까지 성장할 전망이다.
SEMI 아짓 마노차(Ajit Manocha) 회장은 “AI 기반 기술과 지역 자립을 향한 새로운 움직임이 반도체 산업의 변혁을 이끌고 있다”며 “전략적 글로벌 투자를 통해 견고한 공급망과 차세대 제조 기술 도입이 가속화될 것”이라고 밝혔다.
세부적으로 보면, 로직 및 마이크로 부문이 향후 3년간 1,750억달러(약 245조원)로 최대 투자 비중을 차지할 전망이다. 특히 파운드리 분야는 2nm 이하 공정과 게이트 올 어라운드(GAA), 후면전력공급(BPD) 등 첨단 공정 확장을 통해 AI 반도체 수요 대응력을 높일 것으로 보인다.
이와 함께 AI 학습 및 추론 수요가 급증하면서 메모리 투자가 새로운 성장 국면에 진입했다. 메모리 부문 투자 규모는 3년간 총 1,360억달러(약 190조원)로, DRAM 790억달러(약 111조원), 3D NAND 560억달러(약 79조원)에 달할 것으로 추정된다. HBM(고대역폭 메모리)과 3D NAND 등 고성능 메모리에 대한 수요가 AI 학습·추론 과정에서 폭발적으로 증가한 것이 주요 원인이다.
한편, 아날로그 반도체 부문은 410억달러(약 57조원), 전력 반도체(화합물 반도체 포함) 부문은 270억달러(약 38조원) 수준의 투자가 예상된다. 이는 자동차 전장화와 IoT, 로봇·산업용 장비의 스마트화에 대응하기 위한 중장기적 투자 확대 흐름으로 해석된다.
지역별로는 중국이 3년간 940억달러(약 132조원)를 투자하며 세계 300mm 장비 시장 1위를 이어갈 것으로 예상된다. 자국 반도체 자립 정책을 중심으로 메모리 및 파운드리 부문 투자를 집중하고 있다. 한국은 860억달러(약 121조원)로 2위를 차지하며, HBM과 AI 반도체 수요 확산에 따라 메모리 중심의 대규모 팹 증설을 이어갈 전망이다. 대만은 750억달러(약 106조원) 규모로 3위를 기록하며, TSMC를 중심으로 2nm 및 2nm 미만 첨단 공정 경쟁력을 강화할 것으로 보인다.
이밖에 미주는 600억달러(약 85조원) 규모의 투자를 통해 4위로 도약할 전망이다. 미국은 CHIPS법을 기반으로 첨단 공정 투자를 확대하며, 글로벌 기술 리더십 유지를 위한 산업 생태계 재편에 나서고 있다. 일본·유럽·중동·동남아 지역도 총 580억달러(약 81조원) 규모의 투자를 예고하며, 글로벌 공급망 다변화 흐름에 동참하고 있다. |
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