| DRAM 업체, HBM3e 생산량 확보 위해 ‘총력전’ |
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| 2024-06 |
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수요 급증을 겨냥한 생산 캐파 증대 노력
HBM에 집중하면 DRAM 쇼트지 현상이 나올 수도
HBM 수요 증가를 맞추기 위한 `24년 말까지 HBM3e 생산량 급증 현상이 예상된다. DRAM 업체들은 생산 캐파(Capa) 확충을 위해 대규모 투자를 감행하고 있다. 하지만 HBM 설비투자 집중의 여파로 `25년 상반기까지 DRAM 부족 현상이 대두될 수도 있다는 우려 섞인 목소리가 나왔다.
트렌드포스(www.trendforce.com)는 “글로벌 3대 DRAM 공급업체가 고급 공정을 위해 웨이퍼 투입량을 늘리고 있다. 메모리 계약 가격 상승에 따라 기업들은 올해 하반기를 겨냥해 생산능력 확장에 투자를 늘렸다”면서 “1α nm 이상 공정에 대한 웨이퍼 투입량은 연말까지 전체 DRAM 웨이퍼 투입량의 약 40%를 차지할 것”이라고 밝혔다.
DRAM 업체들은 수익성과 수요 증가를 이유로 HBM 생산을 우선시하고 있다. 그러나 DRAM 제품 대비 50~60% 내외의 제한된 수율과 60% 더 큰 웨이퍼 면적으로 인해 더 높은 웨이퍼 투입 비율이 요구되고 있다. 트렌드포스는 “각 업체의 TSV 생산개파 기준으로 볼때, 올해 말까지 HBM은 첨단 공정 웨이퍼 투입량의 35%를 차지하고 나머지 웨이퍼 생산능력은 LPDDR5(X)와 DDR5 제품에 사용될 것”이라고 예상했다.
HBM의 최신 개발과 관련하여 트렌드포스는 HBM3e가 올해 하반기에 출하량이 집중되면서 시장 주류가 될 것이라는 예측을 내놨다. 현재 SK하이닉스는 마이크론과 함께 1β nm 프로세스를 활용하여 엔비디아에 제품을 납품하고 있고, 1α nm 공정을 활용하는 삼성은 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 위해 노력을 기울이고 있다.
HBM 수요 비중 증가와 더불어 PC, 서버, 스마트폰의 단위당 콘텐츠 증가로 인해 분기별 첨단 공정 용량 소비도 늘어났다. 특히 서버는 단위당 1.75TB의 콘텐츠를 갖춘 AI 서버를 중심으로 가장 높은 용량 증가를 보이고 있다. 트렌드포스는, 인텔의 Sapphire Rapids, AMD의 Genoa 등 DDR5 메모리가 필요한 새로운 플랫폼이 대량 생산되면서 연말까지 DDR5 보급률이 50%를 넘을 것으로 전망했다.
한편, 메모리 수요 성수기에 맞춰 HBM3e 출하가 하반기에 집중될 것으로 예상돼 DDR5, LPDDR5(X) 시장 수요도 동반해서 늘어날 것으로 기대된다. 하지만 지난해 재정적 손실을 겪은 제조사들이 생산 캐파(Capa) 확장 계획에 신중을 기하고 있다. 전반적으로 HBM 생산에 할당된 웨이퍼 투입 비율이 높아지면서 첨단 공정의 생산량은 제한될 가능성이 크다. 따라서 공급이 수요를 충족시킬 수 있는지 여부를 결정하는 데 있어 하반기의 생산 캐파(Capa) 할당이 매우 중요할 것으로 보인다.
HBM 생산에 집중하는 가운데 첨단 공정 캐파(Capa)를 충분히 확대하지 않으면 DRAM 공급 부족이 발생할 수 있다고 지적했다. 트렌드포스는 대부분 신규 공장이 2025년에 완공될 예정이지만 대량 생산의 정확한 일정은 여전히 ??불확실하며 올해 수익성에 따라 달라질 것이라고 분석했다. 추가적인 장비 구매 자본을 확보하기 위해 제조업체들은 메모리 가격 인상을 유지하려고 힘을 쓸 것이다. 또한 `25년에 생산량을 늘릴 예정인 엔비디아의 GB200에는 HBM3e 192/384GB가 탑재되어 HBM 생산량이 두 배로 늘어날 수 있다. HBM4 개발이 임박한 가운데, 캐파(Capa) 확장을 위한 대규모 투자가 이뤄지지 않는다면, HBM 우선화는 캐파(Capa) 제약으로 인해 DRAM 공급 부족으로 이어질 수 있다고 분석했다.
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