어플라이드 머티어리얼즈(www.appliedmaterials.com)는 고객들이 EUV(극자외선)로 2D 공정 미세화를 지속할 수 있게 하는 혁신 기술과 차세대 3D GAA(Gate All Around) 트랜지스터 제조를 위한 기술 포트폴리오를 발표했다. 프라부 라자(Prabu Raja) 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 부사장 겸 총괄 매니저는 “어플라이드는 고객을 위해 PPACt(전력·성능·크기·비용·시장출시기간)를 실현하는 기업이 되는 것이 전략”이라며 “우리는 고객들이 EUV로 2D 공정 미세화를 지속할 수 있는 7개의 혁신 기술을 공개했다”고 말했다. 이어 그는 “GAA 트랜지스터는 오늘날의 핀펫(FinFET) 트랜지스터와는 근본적으로 다른 방식으로 제작된다”며 “어플라이드는 이상적인 GAA 게이트 산화물과 메탈 게이트 구현을 위한 2종의 새로운 IMS (Integrated Materials Solutions)를 개발했으며, 에피택시(epitaxy) 공정, 원자층 증착, 선택적 박막 제거 공정 등 광범위한 GAA 제조용 제품 라인을 발표했다”고 말했다.

어플라이드가 새로 공개한 EUV용 ‘스텐사 어드밴스드 패터닝 필름(Stensar Advanced Patterning Film)’은 어플라이드의 ‘프리시전 CVD(Precision CVD)’ 시스템을 통해 증착된다. 어플라이드의 CVD 필름은 스핀온 증착과 다르게 EUV 하드마스크 레이어 두께와 식각 특성을 조절할 수 있다. 반도체 제조사가 이 필름을 사용하면 웨이퍼 전체에 완벽에 가까운 EUV 패턴 전사 균일도를 구현할 수 있다. 어플라이드는 ‘Sym3 Y’ 식각 시스템도 소개했다. Sym3 Y 식각 시스템을 사용하면 고객들은 동일 챔버에서 박막의 식각 및 증착이 가능해 웨이퍼를 식각하기 전에 EUV 패턴을 개선할 수 있다. 이와 더불어 어플라이드는 ‘프로비전(PROVision) 전자빔(eBeam)’ 계측 기술을 선보였다. 이 기술은 전체 웨이퍼에 걸쳐 멀티레이어 칩 내부를 자세히 측정할 수 있기 때문에 EUV 패턴 선폭을 정밀하게 계측한다. 

어플라이드는 게이트 산화물 스택을 위해 ‘IMS’ 시스템을 개발했다. 신규 IMS 시스템은 산화물 두께를 종전 대비 1.5 옹스트롬(원자 사이의 거리를 재는 데 쓰이는 길이의 단위, 1옹스트롬=0.1나노미터)까지 줄였다. 또한 이 회사는 어플라이드는 GAA 메탈 게이트 스택 엔지니어링을 위한 IMS 시스템도 선보였다. 고객이 이 시스템을 이용하면 게이트 두께를 조절해 문턱 전압을 튜닝할 수 있다.