도시바 코퍼레이션(www.toshiba.co.jp)이 실리콘 관통전극(TSV) 기술을 채용한 최대 16다이 적층 NAND플래시 메모리를 세계 최초로 개발했다. 신규 플래시 메모리의 시제품은 미국 산타클라라에서 개최된 ‘2015 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit 2015)’에서 공개했다.
이전의 적층 NAND플래시 메모리는 와이어 본딩 방식으로 서로 연결하여 하나의 패키지를 구성하는 기술을 사용했다. 이와 달리 TSV기술은 수직 전극과 비아(via)를 사용, 실리콘 다이를 관통하여 플래시 메모리를 서로 연결시킨다. 이는 고속으로 데이터를 입출력하고 소비전력을 줄여준다.
도시바의 TSV기술은 다른 NAND플래시 메모리 보다 저전압을 사용하면서 데이터 입출력(I/O) 속도가 더 빠른 1Gbps이상 된다: 즉, 코어 회로 전압이 1.8V, I/O회로 전압은 1.2V이며 쓰기 및 읽기 작동과 데이터 I/O전송에 소비하는 전력이 약 50%정도 감소된다.