‘베리티SEM 10’, High-NA EUV 리소그래피 위한 길 열어  

어플라이드 머티어리얼즈(www.appliedmaterials.com/ko)가 새로운 전자빔 계측 시스템 ‘베리티SEM 10(VeritySEM 10)’을 발표했다. 신규 시스템은 EUV(극자외선) 및 새롭게 부상하는 High-NA EUV 리소그래피 공정으로 패터닝된 반도체 디바이스 소자의 패턴 거리측정(CD)을 정밀하게 측정하도록 설계됐다.

새로운 베리티SEM 10 시스템은 낮은 랜딩 에너지로 기존 CD-SEM에 비해 2배 높은 분해능을 가능케 하는 독특한 아키텍처로 설계됐다. 30% 빠른 스캔 속도로 포토레지스트와 상호작용을 축소하고 처리량을 높인다. 업계 최고 분해능과 스캔 속도를 구현하여 EUV, High-NA EUV 리소그래피 및 식각 공정에 대한 제어력을 높여준다. 따라서 반도체 제조사들은 공정 개발을 가속화하고 대량 생산 수율을 극대화할 수 있다. 

베리티 SEM 10은 GAA 칩의 여러 애플리케이션 가운데 트랜지스터 성능의 핵심인 선택적 에피택시 공정을 계측 및 식별하는 데 사용된다. 3D 낸드 메모리에 대해 광각 이미징과 높은 초점 심도를 제공, 3D 낸드 메모리의 모든 계단식 상호 연결 구조를 계측하고 식각 공정 레시피를 조정하는 데 도움을 준다. 키스 웰스(Keith Wells) 어플라이드 머티어리얼즈 이미징 및 공정제어 그룹 부사장은 “베리티SEM 10 시스템은 CD-SEM 분야의 획기적 기술로서 앞으로 업계 변곡점이 될 주요 기술의 계측 문제를 해결한다. 낮은 랜딩 에너지와 높은 분해능, 빠른 이미징 속도가 절묘하게 결합된 이 시스템은 High-NA EUV, GAA 트랜지스터, 고집적도 3D 낸드로 전환하는 과정에 도움이 된다”고 말했다.